根據平行(xing)穿(chuan)過(guo)磁場(chang)的強弱(ruo)和角度不同，阻抗值發(fa)生變化的AMR橋(qiao)阻與(yu)ASIC集(ji)成在單芯片中。通過(guo)與(yu)磁鐵(tie)配(pei)(pei)合(he)(he)，進行(xing)非接觸(chu)式位(wei)置檢(jian)測。相比于霍爾(er)傳感(gan)(gan)(gan)器具有更(geng)高(gao)的精度（回差可以小于3高(gao)斯(si)），對(dui)磁場(chang)平行(xing)感(gan)(gan)(gan)應(ying)(ying)，和不同方向的AMR橋(qiao)阻配(pei)(pei)合(he)(he)實現360°兩維(wei)感(gan)(gan)(gan)應(ying)(ying)的特點。 主要應(ying)(ying)用于不同感(gan)(gan)(gan)應(ying)(ying)角度與(yu)低功耗(hao)高(gao)頻(pin)感(gan)(gan)(gan)應(ying)(ying)的應(ying)(ying)用場(chang)合(he)(he)，現有兩個產品線，磁阻一維(wei)感(gan)(gan)(gan)應(ying)(ying)開關與(yu)磁阻二維(wei)感(gan)(gan)(gan)應(ying)(ying)開關。
磁(ci)阻一維感應開關：內(nei)置單(dan)路AMR橋阻，實(shi)現±25°夾角內(nei)磁(ci)場的檢測(ce)。典型應用于需要防(fang)止剩磁(ci)干擾(rao)的精確位置檢測(ce)。
磁阻二(er)維感(gan)應(ying)開關：內(nei)置多(duo)路AMR橋阻，通(tong)過不同角度(du)的擺(bai)放，實現360°平面(mian)內(nei)磁場的檢測，典型應(ying)用于需要大感(gan)應(ying)角度(du)的磁場的位置檢測。
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磁阻(zu)一維(wei)感應開關：
磁(ci)阻(zu)二維感應開關：
